Dòng thiết bị RTU SICAM A8000 hỗ trợ tự động hóa trạm biến áp, biến áp không người trực hỗ trợ hoàn toàn IEC 61850 thay thế cho dòng RTU SICAM AK3 trước đó mà không cần phải đi lại dây tín hiệu.
Dòng thiết bị RTU SICAM A8000 hỗ trợ tự động hóa trạm biến áp, biến áp không người trực hỗ trợ hoàn toàn IEC 61850 thay thế cho dòng RTU SICAM AK3 trước đó mà không cần phải đi lại dây tín hiệu.
Tiêu chuẩn sản xuất và thử nghiệm IEC 61850-3 IEC 61000-6-5 IEC 61000-4-5 IEC 61000-4-29 IEC 62351 IEC 60068-2 IEC 60255-21-1 (class 2) hoặc tương đương
Input GPS, IRIG-B <.p>
Output IRIG-B, SNTP, NTP , PTP
Dữ liệu GPS Bộ thu Tối thiểu 12 kênh, C/A code Tần số L1 (1575.42 MHz) Độ nhạy tối thiểu Độ nhạy thu (Acquisition) ≤ -143dBm Độ nhạy theo dõi (Tracking) ≤ -156dBm<-148dBm
Độ chính xác ≤ 100ns
Chính xác 1 PPS: ±40 ns average, ±100 ns peak Demodulated IRIG-B: ±40 ns average, ±100 ns peak Modulated IRIGB: ±1 µs peak
Nhiệt độ -5° đến +60°C Nguồn (Dual Power Supplies) 125-250 Vdc Quản lý HTTPS, SNMP, Syslog Tiêu chuẩn IEEE 1613, IEC 61850-3
Cổng LAN 2 cổng RJ45 10/100 Mbps
LCD Display để hiển thị thời gian và thông số cấu hình.
Phụ kiện: + Anten Đáp ứng + Cáp Đáp ứng + Lighting protection Đáp ứng
Chiều dài cáp kết nối đến ăng ten GPS (The lengh of anntena cable) - Max. 25m for cable RG59 - Max. 100m for cable LSZH - Max. 200m for cable LSZH with amplify - Max. 325m for cable LSZH with double amplify
M2M gateway dùng kết nối điều khiển thu thập dữ liệu dùng mạng di động 4G LTE, mạng không dây LoraWan sửu dụng kênh truyền mạng riêng ảo VPN và tường lửa. Thiết bị dùng tập trung dữ liệu đo hoặc điều khiển cho lưới điện, hệ thống SCADA, thiết bị đo điện tiên tiến ARM, khí tượng ...
- Thiết bị tương thích với TCP/IP bao gồm TCP, UDP (Unicast/ Multicast/Broadcast) cho phép tất cả các giao thức TCP/IP như IEC 60870-5-104, ModBus IP, BacNet IP, S7, OPC-UA.
- Thiết bị dùng phần cứng chuyên dụng với bo mạch FPGA (Field Programmable Gate Arrays). Sử dụng công nghệ FPGA được cứng hóa (burnt) không cho phép tái lập trình FPGA. Tất cả các thành phần xử lý gồm bóc tách dữ liệu (Source Gate), truyền dẫn, đóng gói lại (dest gate) đều dùng FPGA.
Mỗi mặt gồm có ít nhất 1 cổng mạng 1Gbps cho truyền dữ liệu và 1 cổng mạng cho việc quản trị riêng biệt; 1 cổng console. Thiết bị không có cổng ra màn hình và bàn phím, hạn chế việc truy cập trực tiếp.
- Thời gian hoạt động liên tục ≥ 40000 giờ. - Tốc độ truyền dẫn >=150 Mbps, có thể nâng cấp lên 300Mbps; 48 dịch vụ; loại bỏ toàn bộ thông tin tối thiểu từ L1-L4 (mô hình OSI) trước khi truyền dẫn giữa 2 vùng. - Độ trễ truyền tin ≤ 1 ms
Co rút nguội được làm từ cao su EPDM và Silicone, chế tạo sẵn với dây rút bên trong tháo ra được. Khi co rút nguội được lắp đặt vào chỗ nối, đầu cáp ngầm, đầu cốt .... dây rút bên trong sẽ được tháo ra, làm ống co lại bịt kín, tạo màng chống nước bảo vệ. Co rút nguội thi công không cần nguồn nhiệt như đèn khò ... thuận tiện trong môi trường cháy nổ.
Dung lượng tiêu chuẩn: 20 Ah;
Dung lượng tối thiểu: 19,5 Ah
Điện áp tiêu chuẩn: 3,3V; - Dải điện áp: 2,0 – 3,6V; - Điện áp sạc tối đa: 3,6V;
Dòng phóng tối đa: 600A; - Điện trở DCR: 1,5 – 3 mOhm; - Điện trở ACR: 0,78 mOhm; - Nhiệt độ làm việc: -300C - +600C; - Trọng lượng: 495 g; - Số lần nạp: 3000 lần.
Băng cách điện được sử dụng để bọc các mối nối dẫn điện của dây bọc trên không hay tại đầu cực máy biến thế nhằm tái tạo lớp bọc cách điện 24kV. Băng cách điện bao gồm 03 loại băng: - Băng lắp đầy: Có tác dụng lắp đầy các khe hở trên bề mặt mối nối không bằng phẳng, có chức năng tái lập lớp bán dẫn của dây cáp điện 24kV; - Băng cách điện: Có tác dụng tái tạo lớp cách điện 24kV tại vị trí mối nối; - Băng bọc ngoài: Có tác dụng tái tạo lớp vỏ bọc bên ngoài của dây bọc 24kV, có khả năng vận hành ở điều kiện thời tiết ngoài trời. Các băng lấp đầy, băng cách điện, băng bọc ngoài được quấn thành từng cuộn. Các thông số sau: + Vật liệu chế tạo + Độ giãn dài tối đa khi thi công [%] + Độ giãn dài tối đa khi đứt [%] + Bước chồng mí khi thi công [%] + Số lớp cần thực hiện để tái tạo lớp bán dẫn của băng lắp đầy; tái tạo cách điện 24kV của băng cách điện; tái tạo vỏ bọc ngoài của băng bọc ngoài.